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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BQ4015YMB-120N |
| 英文描述： | Avalanche Bridge Rectifiers |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 450K |
| 代理商： | BQ4015YMB-120N |
5
bq4013/Y
AC Test Conditions
Parameter
Test Conditions
Input pulse levels
0V to 3.0V
Input rise and fall times
5 ns
Input and output timing reference levels
1.5 V (unless otherwise specified)
Output load (including scope and jig)
See Figures 1 and 2
Figure 2. Output Load B
Figure 1. Output Load A
Read Cycle
(TA= TOPR, VCCmin
≤
VCC
≤
VCCmax)
Symbol
Parameter
-70/-70N
-85/-85N
-120
Unit
Conditions
Min.
Min.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RC
Read cycle time
70
-
85
-
120
-
ns
t
AA
Address access time
-
70
-
85
-
120
ns
Output load A
t
ACE
Chip enable access time
-
70
-
85
-
120
ns
Output load A
t
OE
Output enable to output valid
-
35
-
45
-
60
ns
Output load A
t
CLZ
Chip enable to output in low Z
5
-
5
-
5
-
ns
Output load B
t
OLZ
Output enable to output in low Z
0
-
0
-
0
-
ns
Output load B
t
CHZ
Chip disable to output in high Z
0
25
0
35
0
45
ns
Output load B
t
OHZ
Output disable to output in high Z
0
25
0
25
0
35
ns
Output load B
t
OH
Output hold from address change
10
-
10
-
10
-
ns
Output load A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BQ4015YMB-85 | Avalanche Bridge Rectifiers |
| BQ4845P | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
| BQ4845S | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
| BQ4845YP | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
| BQ4845YS | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BQ4015YMB-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| BQ4015YMB-85N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| BQ4015YMS-120 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
| BQ4015YMS-120N | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
| BQ4015YMS-70 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
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