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參數(shù)資料
| 型號： | BM29F400T-90TC |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 31/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | BM29F400T-90TC |
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BRIGHT
Microelectronics
Inc.
BM29F400T/BM29F400B
A Winbond Company
- 31 -
Publication Release Date: December 1999
Revision A2
AC CHARACTERISTICS
Programming/Erase Operations
PARAMETER
SYM.
DESCRIPTION
JEDEC
Standard
-90
-120
-150
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time(1)
Min.
90
120
150
nS
tAVEL
tAS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
nS
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min.
45
50
50
nS
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min.
45
50
50
nS
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
nS
tOES
Output Enable Setup Time(1)
Min.
0
0
0
nS
tOEH
Output Enable
Read(1)
Min.
0
0
0
nS
Hold Time
Toggle and Data Polling(1)
Min.
10
10
10
nS
tGHWL
tGHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
nS
tWLEL
tWS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
nS
tEHWH
tWH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
nS
tELEH
tCP
CE Pulse Width
Min.
45
50
50
nS
tEHEL
tCPH
CE Pulse Width High
Min.
20
20
20
nS
tWHWH1
tWHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
16
16
16
mS
Max.
400
400
400
mS
tWHWH2
tWHWH2
Sector Erase Operation(2)
Typ.
0.26
0.26
0.26
sec
Max.
12
12
12
sec
tWHWH3
tWHWH3
Chip Erase Operation(2)
Typ.
2.0
2.0
2.0
sec
Max.
90
90
90
sec
tVCS
Vcc Setup Time(1,3)
Min.
50
50
50
mS
tVIDR
Rise Time to V
ID
(1,3)
Min.
500
500
500
nS
tVLHT
Voltage Transition Time(1,3)
Min.
4
4
4
mS
tWPP1
Sector Protect Write Pulse Width(4)
Min.
100
100
100
mS
tWPP2
Sector Unprotect Write Pulse Width(4)
Min.
10
10
10
mS
tOESP
OE
Setup Time to
WE
Active(1, 3)
Min.
4
4
4
mS
tCSP
OE
Setup Time to
WE
Active(1, 4)
Min.
4
4
4
nS
Notes
:
1. Not 100% tested.
2. Does not include pre-programming time.
3. This timing is for Sector Unprotect operation.
4. Output Driver Disable Time.
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