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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BM29F400T-90TC |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | BM29F400T-90TC |
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BRIGHT
Microelectronics
Inc.
BM29F400T/BM29F400B
- 24 -
AC CHARACTERISTICS
Programming/Erase Operations
PARAMETER
JEDEC
SYM.
Standard
DESCRIPTION
-90
-120
-150
UNIT
tAVAV
tAVWL
tWLAX
tDVWH
tWHDX
tWC
tAS
tAH
tDS
tDH
tOES
tOEH
Write Cycle Time(1)
Min.
90
120
150
nS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
nS
Address Hold Time
Min.
45
50
50
nS
Data Setup Time
Min.
45
50
50
nS
Data Hold Time
Min.
0
0
0
nS
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
nS
Output Enable
Read(1)
Min.
0
0
0
nS
Hold Time
Toggle &
Data
Polling(1)
Min.
10
10
10
nS
tGHWL
tELWL
tGHWL
tCS
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
nS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
nS
tWHEH
tCH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
nS
tWLWH
tWHWL
tWHWH1
tWP
tWPH
tWHWH1
Write Pulse Width
Min.
45
50
50
nS
Write Pulse Width High
Min.
20
20
20
nS
Byte Programming Operation
Typ.
Max.
16
400
16
400
16
400
μ
S
μ
S
sec
tWHWH2
tWHWH2
Sector Erase Operation(2)
Typ.
Max.
0.26
12
0.26
12
0.26
12
tWHWH3
tWHWH3
Chip Erase Operation(2)
Typ.
Max.
2.0
90
2.0
90
2.0
90
sec
tVCS
tVIDR
tOESP
Vcc Setup Time(1)
Rise Time to V
ID
(1,3)
Min.
50
50
50
mS
Min.
500
500
500
nS
OE Setup Time to WE Active(1, 3, 4)
Min.
4
4
4
mS
tRP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
nS
tRSP
RESET Setup Time( 3)
Programming/Erase Valid to RY/BY Delay(1)
Voltage Transition Time(1, 4)
Sector Protect Write Pulse Width(4)
Sector Unprotect Write Pulse Width(4)
Min.
4
4
4
μ
S
tBUSY
tVLHT
tWPP1
tWPP2
tCSP
Min.
40
50
60
nS
Min.
4
4
4
mS
Min.
100
100
100
mS
Min.
350
350
350
mS
CE
Setup Time to
WE
Active(1, 4)
Min.
4
4
4
nS
Notes:
1. Not 100% tested.
2. Does not include pre-programming time.
3. This timing is for Temporary Sector Unprotect operation.
These timings are for Sector Protect and/or Sector Unprotect operations.
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PDF描述 |
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