參數(shù)資料
型號(hào)： BLX11
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至5
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： BLX11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLX12 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5
BLX16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX17 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX18 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX19 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLX12 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5
BLX1288/PG85-J10 制造商:Shure 功能描述:DUAL CHANNEL WIRELESS SYSTEM
BLX13C 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLX14 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX15 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*