參數(shù)資料
型號(hào): BLX12
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5
中文描述: 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五(巴西)總裁|甲一(c)|至5
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代理商: BLX12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLX16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX17 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX18 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BLX19 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC
BLX20 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC
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參數(shù)描述
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BLX14 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX15 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLX16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5