參數(shù)資料
型號： BLW91
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： BLW91
1996 Feb 12
6
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
DIGITAL CELLULAR (1800 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 1900 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1900 to 2000 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 2000 MHz) CLASS AB OPERATION
Bipolar
Note
1.
In a SOT409 SMD package.
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
2
1
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
BLT14
BLT13
1.6
2
4.8
6
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1916
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE20500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE20500X
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1816
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE18500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE18500X
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
25
60
120
250
BGY1816; BGY1916
BLV2040
(1)
BLV2040
(1)
BLV2042
(1)
15
15
25
50
26
26
26
26
BLV2042
(1)
BLV2044
BLV2044
BLV2044
BLV2045
2
×
BLV2045
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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LG0201
LG0301
LG0401
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參數(shù)描述
BLW96 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLW96/01,112 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW96/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
BLW97 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF power transistor
BLW97/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
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