參數(shù)資料
型號(hào)： BLW91
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： BLW91
1996 Feb 12
5
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
BASE STATIONS (860 to 960 MHz) CLASS AB OPERATION
Bipolar
Notes
1.
2.
3.
4.
BLV904 is a comparable transistor in a SMD package.
BLV902 is a comparable transistor in a SMD package.
BLV909 is a comparable transistor in a SMD package.
d
IM
=
30 dB.
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
f
(MHz)
270
220
65
64
100
25
75
75
25
30
35
20
250
BLV103
(1)
BLV103
(1)
BLV99/SL
(2)
BLV99/SL
BLV99/SL
BGY916
BLV103
(1)
BLV103
(1)
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV103
(1)
BLV934
BLV935
BLV910
BLV100
(3)
BLV100
(3)
BLV958
BLV920
BLV920
BLV103
BLV103
BLV103
BLV103
BLV934
30
30
40
45
45
75
75
80
85
85
120
26
26
26
25
25
26
26
26
25
25
25
25
26
960
960
960
900
960
960
960
960
900
960
900
900
(4)
960
BLV946
BLV101A
BLV101B
BLV958
2
×
BLV946
BLV98CE
BLV97CE
BLV945A
BLV945A
BLV950
2
×
BLV101A
2
×
BLV101B
BLV950
BLV950
150 (PEP)
150
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PDF描述
LG0101
LG0201
LG0301
LG0401
LG0501
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參數(shù)描述
BLW96 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLW96/01,112 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW96/B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
BLW97 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:HF power transistor
BLW97/B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
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