參數(shù)資料
型號(hào)： BLW89
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： BLW89
DATA SHEET
File under Discrete Semiconductors, SC08b
1996 Feb 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Line-ups
RF Power Transistors for UHF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLW90 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW91 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
BLW96 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLW96/01,112 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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