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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLV2047 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor(UHF 功率晶體管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | BLV2047 |
1999 Jun 09
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV2047
Fig.6
Power gain and collector efficiency as
functions of peak envelope load power;
typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 300 mA; f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
0
40
20
60
100
80
PL (PEP)(W)
Gp
η
C
(%)
8
6
4
2
0
0
50
40
30
10
20
MBK400
η
C
Fig.7
Intermodulation products as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
CE
= 26 V; f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
(1) I
CQ
= 100 mA.
(2) I
CQ
= 300 mA.
(3) I
CQ
= 500 mA.
handbook, halfpage
(dBc)
0
40
20
(1)
(3)
60
80
PL (PEP)(W)
10
20
30
40
50
MBK401
(2)
Fig.8
Intermodulation products as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 300 mA; f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
handbook, halfpage
0
40
20
d3
d5
d7
60
80
PL (PEP)(W)
dim
(dBc)
20
40
60
MBK402
Fig.9
Adjacent channel power as a function of
load power; typical values.
V
= 26 V; I
= 500 mA.
Measured at 885 kHz offset with 30 kHz bandwidth.
CDMA test signal with 11.9 dB peak to average ratio.
handbook, halfpage
0
4
12
8
16
20
PL (W)
ACP
(dBc)
20
40
60
MBK925
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV21 | UHF power transistor |
| BLV25 | VHF power transistor(VHF功率晶體管) |
| BLV33F | VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管) |
| BLV33 | VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管) |
| BLV57 | UHF Linear push-pull power transistor(UHF 線性推挽式功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLV21 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV2347 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A |
| BLV25 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV297 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| BLV2N60 | 制造商:ESTEK 制造商全稱:ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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