參數(shù)資料
型號: BLP1010
廠商: 上海貝嶺股份有限公司
英文描述: BLP1010
中文描述: BLP1010
文件頁數(shù): 1/2頁
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代理商: BLP1010
BLP1010
http://www.belling.com.cn
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8/18/2006
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2 Pages
PN
結(jié)
Si
光電池
描述
工作在低頻區(qū)域的 Si 光電池,可接收波長處于峰值波長附近的光信號
應(yīng)用
遙控電路
光纖通信
結(jié)構(gòu)
芯片結(jié)構(gòu):平面 PN 型結(jié)構(gòu)
電極:頂部 AlSi
外形圖和尺寸
芯片尺寸:10 mm × 10 mm
芯片厚度:300
±
25
μ
m
縱向結(jié)構(gòu)
芯片結(jié)構(gòu):平面 PN 型結(jié)構(gòu)
電極:AlSi
N
N
P
N
P
N
Anode
Cathode
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參數(shù)描述
BLP10H603AZ 功能描述:FET RF 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:860MHz 增益:22.8dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:2.5W 電壓 - 額定:104V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:12-HVSON(5x6) 標準包裝:1
BLP10H603Z 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP10H603/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel
BLP10H605AZ 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙),共源 頻率:860MHz 增益:22.4dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:30mA 功率 - 輸出:5W 電壓 - 額定:104V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:12-HVSON(5x6) 標準包裝:1
BLP10H605Z 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP10H605/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel
BLP10H610AZ 功能描述:FET RF 2CH 104V 860MHZ 12HVSON 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙),共源 頻率:860MHz 增益:22dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:60mA 功率 - 輸出:10W 電壓 - 額定:104V 封裝/外殼:12-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:12-HVSON(5x6) 標準包裝:1