參數(shù)資料
型號(hào)： BLF543
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power MOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BLF543
October 1992
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power MOS transistor
BLF543
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GS
I
D
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
DC drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
65
20
2
25
150
200
V
V
A
W
°
C
°
C
up to T
mb
= 25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
THERMAL RESISTANCE
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink
7 K/W
0.4 K/W
Fig.2 DC SOAR.
(1) Current in this area may be limited by R
DS(on)
.
(2) T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
1
10
10
2
(1)
ID
(A)
VDS (V)
MRA991
(2)
Fig.3 Power/temperature derating curves.
(1) Continuous operation.
(2) Short-time operation during mismatch.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
0
40
80
160
30
10
0
20
120
MDA488
(2)
(1)
Th (
°
C)
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