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參數(shù)資料
| 型號： | BLF4G10LS-120 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, LDMOST, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | BLF4G10LS-120 |
9397 750 14547
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
4 of 13
Philips Semiconductors
BLF4G10LS-120
UHF power LDMOS transistor
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 650 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 650 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
Fig 1.
One-tone CW power gain and drain efficiency
as functions of load power; typical values
Fig 2.
Two-tone CW power gain and drain efficiency
as functions of average load power; typical
values
V
DS
= 28 V; I
Dq
= 650 mA; T
case
= 25
°
C;
f = 960 MHz
V
DS
= 28 V; T
case
= 25
°
C; f = 960 MHz
(1) I
Dq
= 550 mA
(2) I
Dq
= 650 mA
(3) I
Dq
= 750 mA
(4) I
Dq
= 850 mA
Fig 4.
Third order intermodulation distortion as a
function of average load power; typical values
Fig 3.
Intermodulation distortion as a function of
average load power; typical values
P
L
(W)
0
180
140
80
100
40
20
60
120
160
001aac410
14
16
12
18
20
G
p
(dB)
10
20
30
10
40
50
60
70
η
D
(%)
0
G
p
η
D
P
L(AV)
(W)
0
90
70
40
50
20
10
30
60
80
001aac411
14
16
12
18
20
G
p
(dB)
10
20
30
10
40
50
60
η
D
(%)
0
G
p
η
D
P
L(AV)
(W)
0
80
60
20
40
001aac412
40
60
20
0
IMD
(dBc)
80
IMD3
IMD5
IMD7
P
L(AV)
(W)
0
80
60
20
40
001aac413
40
60
20
0
IMD3
(dBc)
80
(3)
(4)
(2)
(1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLF4G20LS-110B | UHF power LDMOS transistor |
| BLF522 | UHF power MOS transistor |
| BLF543 | UHF power MOS transistor |
| BLF544B | UHF push-pull power MOS transistor |
| BLF545 | UHF push-pull power MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF4G10LS-120,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G10LS-160 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G10LS-160,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF4G10S-120 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor |
| BLF4G20-110 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502A |
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