參數(shù)資料
型號： BLF4G10LS-120
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 2 PIN
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BLF4G10LS-120
Philips Semiconductors
BLF4G10LS-120
UHF power LDMOS transistor
9397 750 14547
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 10 January 2006
11 of 13
11. Revision history
Table 10:
Document ID
BLF4G10LS-120_1
Revision history
Release date
20060110
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Doc. number
9397 750 14547
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF4G20LS-110B UHF power LDMOS transistor
BLF522 UHF power MOS transistor
BLF543 UHF power MOS transistor
BLF544B UHF push-pull power MOS transistor
BLF545 UHF push-pull power MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF4G10LS-120,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10LS-160,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF4G10S-120 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor
BLF4G20-110 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502A
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