參數(shù)資料
型號(hào)： BLF20
廠商： Littelfuse, Inc.
元件分類(lèi)： 保險(xiǎn)絲
英文描述： Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
中文描述： 軸向引線和墨盒保險(xiǎn)絲-侏儒
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： BLF20
2002 May 17
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-70
handbook, halfpage
Gp
(dB)
Gp
η
D
(%)
η
D
10
5
0
30
10
0
20
MGW534
30
34
32
36
38
40
PL(AV) (dBm)
Fig.6
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of average load power; typical values.
V
DS
= 28 V; I
= 450 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2135 MHz; f
2
= 2145 MHz.
Two-carrier W-CDMA performance.
Input signal: 3GPP W-CDMA 1-64DPCH with 66 % clipping;
peak to average power ratio: 8.5 dB at 0.01 % and 9.2 dB at
0.0001 % (CCDF) per carrier;
channel spacing/bandwidth = 5 MHz / 3.84 MHz.
Measured in a W-CDMA application circuit.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
ACLR
(dBc)
30
34
32
36
38
40
20
60
40
0
20
60
40
MGW535
ACLR
dim
PL(AV) (dBm)
Fig.7
Intermodulation distortion and adjacent
channel power ratio as functions of average
load power; typical values.
V
DS
= 28 V; I
= 450 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2135 MHz; f
2
= 2145 MHz.
Two-carrier W-CDMA performance.
Input signal: 3GPP W-CDMA 1-64DPCH with 66 % clipping;
peak to average power ratio: 8.5 dB at 0.01 % and 9.2 dB at
0.0001 % (CCDF) per carrier;
channel spacing/bandwidth = 5 MHz / 3.84 MHz.
Measured in a W-CDMA application circuit.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLF202 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power MOS transistor
BLF202 T/R 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF202,115 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF2022-120 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF push-pull power LDMOS transistor
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