參數(shù)資料
型號： BLF2022-70
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-502A
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 65V的五（巴西）直| 9A條（?。﹟的SOT - 502A
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 109K
代理商： BLF2022-70
2002 May 17
8
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-70
handbook, full pagewidth
INPUT
PH990109
OUTPUT
PH990110
MGU538
VDD
VGS
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
F1
R2
R1
C4
C3
C1
C2
INPUT
PH990109
OUTPUT
PH990110
50
95
50
Fig.11 Component layout for 2.2 GHz class-AB test circuit.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Teflon dielectric (
ε
r
= 2.2), thickness 0.79 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
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PDF描述
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