參數(shù)資料
型號： BLF0810S-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： BLF0810S-90
2003 Jun 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-90; BLF0810S-90
APPLICATION INFORMATION
RF performance in a common source class-AB circuit.
V
DS
= 27 V; I
DQ
= 560 mA; f = 890 MHz; T
h
= 25
°
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Mode of operation: 2-tone CW, 100 kHz spacing
G
p
η
D
IRL
d
3
gain power
drain efficiency
input return loss
third order intermodulation
distortion
gain power
drain efficiency
third order intermodulation
distortion
ruggedness
P
L
= 45 W (PEP)
15
29
16.5
32
10
40
6
dB
%
dB
dBc
G
p
η
D
d
3
P
L
= 63 W (PEP)
33
16.5
38
32
27
dB
%
dBc
VSWR = 10 : 1 through all
phases; P
L
= 125 W (PEP)
no degradation in output power
Mode of operation: CDMA, IS95 (pilot, paging, sync and traffic codes 8 to 13)
G
p
η
D
ACPR 750
gain power
drain efficiency
adjacent channel power ratio
P
L
= 15 W (AV)
P
L
= 15 W (AV)
at BW = 30 kHz
16
27
46
dB
%
dBc
handbook, halfpage
(dB)
0
100
0
4
8
12
16
50
0
10
20
30
40
20
40
60
80
PL (PEP) (W)
MDB170
Gp
η
D
(%)
η
D
Fig.3
Power gain and efficiency as functions of
peak envelope power, typical values.
V
DS
= 27 V; I
DQ
= 560 mA; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
handbook, halfpage
d3
(dBc)
0
20
100
20
60
80
40
40
60
80
PL (PEP) (W)
MDB171
IDQ = 400 mA
450 mA
600 mA
500 mA
Fig.4
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope power, typical
values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF2022-125 UHF power LDMOS transistor
BLF2022-40 UHF power LDMOS transistor
BLF2022-70 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-502A
BLF2043F TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | FO-67VAR
BLF20 Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF082 功能描述:FILTER RFI 82PF SMD RoHS:是 類別:濾波器 >> EMI/RFI（LC、RC 網(wǎng)絡(luò)） 系列:BLF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,500 系列:- 類型:低通 技術(shù):LC 通道數(shù):10 中心 / 截止頻率:- 衰減值:45dB @ 800MHz ~ 2.2GHz 電阻 - 通道 (Ohms):90 電流:25mA 值:C = 28pF（總計(jì)） ESD 保護(hù):是 濾波器階數(shù):5th 應(yīng)用:移動設(shè)備的數(shù)據(jù)線路 封裝/外殼:24-UFBGA 尺寸/尺寸:0.083" L x 0.083" W（2.10mm x 2.10mm） 高度:0.026"（0.65mm） 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 其它名稱:SP000454322
BLF0910H6L500U 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:900MHz ~ 930MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:2.8μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:90mA 功率 - 輸出:500W 電壓 - 額定:114.5V 封裝/外殼:SOT-502A 供應(yīng)商器件封裝:SOT502A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60
BLF0910H6LS500U 功能描述:RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:2.5GHz ~ 2.69GHz 增益:14.8dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:150W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT1275-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60
BLF1 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
BLF1.5 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*