參數(shù)資料
型號(hào)： BLF0810S-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大小： 117K
代理商： BLF0810S-90
2003 Jun 12
2
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-90; BLF0810S-90
FEATURES
Typical CDMA IS95 performance at standard settings
with a supply voltage of 27 V and I
DQ
of 560 mA.
Adjacent channel bandwidth is 30 kHz, adjacent
channel at
±
750 kHz:
– Output power = 15 W (AV)
– Gain = 16 dB
– Efficiency = 27%
– ACPR =
46 dBc at 750 kHz and BW = 30 kHz
70 W CW performance
Easy power control
Excellent ruggedness
High power gain
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (800 to 1000 MHz)
Internally matched for ease of use.
APPLICATIONS
RF power amplifier for GSM, EDGE and CDMA base
stations and multicarrier operations in the
800 to 1000 MHz frequency range.
DESCRIPTION
90 W LDMOS power transistor for base station
applications at frequencies from 800 to 1000 MHz.
PINNING - SOT502A
PINNING - SOT502B
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
drain
gate
source; connected to flange
handbook, halfpage
Top view
MBK394
1
2
3
Fig.1 Simplified outline SOT502A (BLF0810-90).
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
drain
gate
source; connected to flange
1
Top view
MBL105
2
3
Fig.2 Simplified outline SOT502B (BLF0810S-90)
QUICK REFERENCE DATA
Typical RF performance at T
h
= 25
°
C in a common source test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
d
3
(dBc)
28
ACPR 750
(dBc)
46
Class-AB (2-tone)
CDMA (IS95)
f
1
= 890.0; f
2
= 890.1
890
27
27
70 (PEP)
15 (AV)
16
16
39
27
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PDF描述
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參數(shù)描述
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