- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373021 > BLF0810-180 (NXP SEMICONDUCTORS) Base station LDMOS transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BLF0810-180 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Base station LDMOS transistors |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | BLF0810-180 |
2003 Jun 12
6
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF0810-180; BLF0810S-180
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
50
100
150
15
5
0
10
40
η
D
(%)
30
10
0
20
MDB162
PL (PEP) (W)
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.7
Power gain and drain efficiency as functions
of peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
(1) I
DQ
= 1 A.
(2) I
DQ
= 1.45 A.
(3) I
DQ
= 1 A.
(4) I
DQ
= 1.45 A.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
50
100
150
20
60
80
40
MDB163
PL (PEP) (W)
(6)
(3)
(1)
(5)
(2)
(4)
Fig.8
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
(1) d
3
; I
DQ
= 1 A.
(2) d
5
; I
DQ
= 1 A.
(3) d
7
; I
DQ
= 1 A.
(4) d
3
; I
DQ
= 1.3 A.
(5) d
5
; I
DQ
= 1.3 A.
(6) d
7
; I
DQ
= 1.3 A.
handbook, halfpage
(dBc)
40
55
65
50
60
70
75
41
45
42
43
44
PL (AV) (dBm)
MDB164
(4)
(3)
(1)
(2)
ACPR at 750 kHz
ACPR at 1.98 MHz
Fig.9
CDMA IS95 ACPR distortion as a function
of average load power and I
DQ
.
V
DS
= 27 V; f = 894 MHz.
(1) I
DQ
= 1 .1A.
(2) I
DQ
= 1.4 A.
(3) I
DQ
= 1.1 A.
(4) I
DQ
= 1.4 A.
handbook, halfpage
ACPR
(dBc)
0
10
20
40
50
70
80
60
30
PL (PEP) (W)
MDB165
(4)
(3)
(1)
(2)
ACPR at 750 kHz
ACPR at 1.98 MHz
Fig.10 CDMA IS95 ACPR distortion as a function
of peak envelope load power at different
temperatures.
V
DS
= 27 V; f = 894 MHz; I
DQ
= 1.1 A.
(1) T
h
= 20
°
C.
(2) T
h
= 80
°
C.
(3) T
h
= 20
°
C.
(4) T
h
= 80
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLF0810S-180 | Base station LDMOS transistors |
| BLF1047 | UHF power LDMOS transistor |
| BLF1048 | UHF power LDMOS transistor |
| BLF1049 | Base station LDMOS transistor |
| BLF2022-120 | UHF push-pull power LDMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF0810-90 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Base station LDMOS transistors |
| BLF0810S-180 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Base station LDMOS transistors |
| BLF0810S-90 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Base station LDMOS transistors |
| BLF082 | 功能描述:FILTER RFI 82PF SMD RoHS:是 類別:濾波器 >> EMI/RFI（LC、RC 網(wǎng)絡(luò)） 系列:BLF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,500 系列:- 類型:低通 技術(shù):LC 通道數(shù):10 中心 / 截止頻率:- 衰減值:45dB @ 800MHz ~ 2.2GHz 電阻 - 通道 (Ohms):90 電流:25mA 值:C = 28pF（總計） ESD 保護(hù):是 濾波器階數(shù):5th 應(yīng)用:移動設(shè)備的數(shù)據(jù)線路 封裝/外殼:24-UFBGA 尺寸/尺寸:0.083" L x 0.083" W（2.10mm x 2.10mm） 高度:0.026"（0.65mm） 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 其它名稱:SP000454322 |
| BLF0910H6L500U | 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:900MHz ~ 930MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:2.8μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:90mA 功率 - 輸出:500W 電壓 - 額定:114.5V 封裝/外殼:SOT-502A 供應(yīng)商器件封裝:SOT502A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。