參數(shù)資料
型號： BLC6G22LS-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT896-1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BLC6G22LS-130
BLC6G22-100_6G22LS-100_1
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Objective data sheet
Rev. 01 — 30 January 2006
4 of 9
Philips Semiconductors
BLC6G22-100; BLC6G22LS-100
UHF power LDMOS transistor
8.
Package outline
Fig 1.
Package outline SOT895-1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT895-1
SOT895-1
05-06-22
05-06-28
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic flanged cavity package; 2 mounting slots; 2 leads
0
5
10 mm
scale
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.17
0.14
19.9
19.7
9.78
9.53
19.94
18.92
9.91
9.65
4.1
3.3
c
U
2
0.6
w
2
F
1.14
0.89
U
1
34.16
33.91
L
5.3
4.5
p
3.38
3.12
E
E
1
9.53
9.27
inches
0.505
0.495
0.0065
0.0055
0.785
0.775
D
1
20.42
20.12
0.804
0.792
0.385
0.375
0.785
0.745
0.390
0.380
0.161
0.130
0.023
0.25
w
1
0.01
27.94
1.100
0.045
0.035
1.345
1.335
0.209
0.177
0.133
0.123
Q
1.75
1.50
0.069
0.059
q
0.375
0.365
H
A
D
1
D
F
B
C
A
q
A
B
w1
M
M
M
C
w2
M
M
U
1
L
p
U
2
H
b
1
2
3
E
E
1
Q
c
相關PDF資料
PDF描述
BLD-1 SPRING BALANCER 0.4-1KG
BLD-2 SPRING BALANCER 1-2KG
BLD-3 SPRING BALANCER 2-3KG
BLF0810-90 Base station LDMOS transistors
BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BLC6G22LS-75 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Power LDMOS transistor
BLC6G22LS-75,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single 65V 18A 0.15Ohms RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27-100,118 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27LS-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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