參數(shù)資料
型號： BLC6G22LS-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT896-1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BLC6G22LS-130
BLC6G22-100_6G22LS-100_1
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Objective data sheet
Rev. 01 — 30 January 2006
7 of 9
Philips Semiconductors
BLC6G22-100; BLC6G22LS-100
UHF power LDMOS transistor
10. Revision history
Table 9:
Document ID
BLC6G22-100_6G22
LS-100_1
Revision history
Release date
20060130
Data sheet status
Objective data sheet
Change notice Doc. number
-
Supersedes
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLD-1 SPRING BALANCER 0.4-1KG
BLD-2 SPRING BALANCER 1-2KG
BLD-3 SPRING BALANCER 2-3KG
BLF0810-90 Base station LDMOS transistors
BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLC6G22LS-75 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Power LDMOS transistor
BLC6G22LS-75,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single 65V 18A 0.15Ohms RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27-100,118 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLC6G27LS-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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