參數(shù)資料
型號： BLA1011-200
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | SOT-502A
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)|采用SOT - 502A
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 70K
代理商： BLA1011-200
2001 May 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
Avionics LDMOS transistor
BLA1011-200
FEATURES
High power gain
Easy power control
Excellent ruggedness
Source on mounting base eliminates DC isolators,
reducing common mode inductance.
APPLICATIONS
Avionics transmitter applications in the
1030 to 1090 MHz frequency range.
DESCRIPTION
Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS
transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange
package with a ceramic cap. The common source is
connected to the mounting flange.
PINNING - SOT502A
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
drain
gate
source, connected to flange
handbook, halfpage
Top view
MBK394
1
2
3
Fig.1 Simplified outline SOT502A.
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
h
= 25
°
C in a common source test circuit.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
Pulsed class-AB;
t
p
= 50
μ
s;
δ
= 2 %
1030 to 1090
36
200
>13
>45
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
GS
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
75
±
22
700
+150
200
V
V
W
°
C
°
C
T
h
≤
25
°
C; t
p
= 50
μ
s;
δ
= 2 %
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PDF描述
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參數(shù)描述
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