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參數(shù)資料
| 型號： | BGY206 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | UHF amplifier module |
| 中文描述： | 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT388B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | BGY206 |
1998 May 08
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier module
BGY206
Fig.6
Load power as a function of frequency;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW; V
C
= 3.5 V;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
handbook, halfpage
(W)
880
890
900
920
0
4
MGD356
910
f (MHz)
3
2
1
Fig.7
Control voltage as a function of frequency;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW; P
L
= 3 W;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
handbook, halfpage
VC
(V)
880
890
900
920
0
MGD357
910
f (MHz)
3
2
1
Fig.8
Harmonics as a function of frequency;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW; P
L
= 3 W;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
30
40
60
50
880
890
900
910
f (MHz)
MGD358
920
H2, H3
(dBc)
H3
H2
Fig.9
Control voltage as a function of mounting
base temperature; typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW; P
L
= 3 W;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
handbook, halfpage
VC
(V)
40
0
40
Tmb (
o
C)
80
0
1
2
3
MGD359
880 MHz
915 MHz
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