參數(shù)資料
型號(hào)： BGY206
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： UHF amplifier module
中文描述： 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： SOT388B, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： BGY206
1998 May 08
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier module
BGY206
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
CHARACTERISTICS
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 3 mW; V
S
= 4.8 V; V
C
≤
3.5 V; f = 880 to 915 MHz; T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s;
unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
S
V
C
P
D
P
L
T
stg
T
mb
DC supply voltage
DC control voltage
input drive power
load power
storage temperature
operating mounting base temperature
V
C
< 0.5 V
40
30
10
4
13
3.5
+100
+100
V
V
mW
W
°
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
μ
A
μ
A
W
W
dB
%
dBc
dBc
I
Q
I
C
P
L
leakage current
control current
load power
V
C
= 0.5 V
adjust V
C
for P
L
= 3 W
V
C
= 3.5 V
V
C
= 3.5 V; V
S
= 4.3 V; T
mb
= 85
°
C
adjust V
C
for P
L
= 3 W
adjust V
C
for P
L
= 3 W
adjust V
C
for P
L
= 3 W
adjust V
C
for P
L
= 3 W
adjust V
C
for P
L
= 3 W
P
D
= 1.5 to 6 mW; V
S
= 4 to 6.5 V;
V
C
= 0 to 3.5 V; P
L
≤
3 W;
VSWR
≤
6 : 1 through all phases
V
C
= 0.5 V
3
2
30
40
45
100
500
40
40
2.5 : 1
60
G
p
η
H
2
H
3
VSWR
in
power gain
efficiency
second harmonic
third harmonic
input VSWR
stability
dBc
isolation
control bandwidth
noise power
1
36
85
dBm
MHz
dBm
P
n
P
L
= 3 W; bandwidth = 30 kHz;
20 MHz above transmission band
V
S
= 6.5 V; adjust V
C
for P
L
= 3 W;
VSWR
≤
10 : 1 through all phases
ruggedness
no degradation
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