參數(shù)資料
型號(hào)： BGY1916
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 衰減器
英文描述： UHF amplifier module
中文描述： 1930 MHz - 1990 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT365A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： BGY1916
1998 May 27
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier module
BGY1916
CHARACTERISTICS
T
mb
= 25
°
C; V
S1
= 5 V; V
S2
= 26 V; P
L
= 16 W; Z
S
= Z
L
= 50
unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
f
I
S1
I
S2
P
L
G
p
η
H
2
H
3
VSWR
in
frequency
supply current
supply current
load power
power gain
efficiency
second harmonic
third harmonic
input VSWR
stability
1930
16
24
30
80
430
1990
28
35
45
1.6 : 1
60
MHz
mA
mA
W
dB
%
dBc
dBc
P
D
<
60 dBm
P
D
< 63 mW
VSWR
≤
2 : 1 through all phases;
P
L
≤
16 W; V
S2
= 25 to 27 V
P
carrier
= 16 W; P
reverse
=
40 dBc;
f
i
= f
c
±
200 kHz
corner frequency = 3 dB;
P
carrier
= 16 W; modulation = 20%
VSWR
≤
5 : 1 through all phases
dBc
reverse intermodulation
53
dBc
B
AM bandwidth
2
MHz
ruggedness
no degradation
Fig.2
Power gain and efficiency as functions of
load power; typical values.
f = 1960 MHz; V
S1
= 5 V; V
S2
= 26 V; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
Gp
(dB)
Gp
η
(%)
η
20
10
0
60
40
20
0
10
20
PL (W)
30
MGD187
Fig.3
Load power as a function of input power;
typical values.
f = 1960 MHz; V
S1
= 5 V; V
S2
= 26 V; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
PL
(W)
20
10
0
40
80
PIN (mW)
120
MGD186
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