參數(shù)資料
型號(hào)： BGD108
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： PV SERIES
中文描述： 40 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BGD108
1997 Apr 10
2
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier module
BGD108
FEATURES
Excellent linearity
Extremely low noise
Silicon nitride passivation
Rugged construction
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
Hybrid amplifier module for CATV
systems operating over a frequency
range of 40 to 450 MHz at a voltage
supply of +24 V (DC).
PINNING - SOT115J
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
5
7
8
9
input
common
common
+V
B
common
common
output
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline.
fpage
1 2 3
5
7 8 9
MSA319 - 1
Side view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
G
p
power gain
f = 50 MHz
f = 450 MHz
V
B
= +24 V
35
36.5
37
625
dB
dB
mA
I
tot
total current consumption (DC)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
i
T
stg
T
mb
RF input voltage
storage temperature
mounting base operating temperature
40
20
55
+100
+100
dBmV
°
C
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BGD501
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參數(shù)描述
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