參數(shù)資料
型號(hào): BGD104
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 衰減器
英文描述: PV SERIES
中文描述: 40 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝: SOT115J, 7 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: BGD104
1999 Mar 22
4
Philips Semiconductors
Product specification
CATV power doubler amplifier module
BGD104
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A2
max.
c
e
e1
q
Q
max.
q1
q2
U1
max.
U2
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
20.8
9.1
0.51
0.38
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7
8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2
4.2 44.75
8
0.25
0.1
3.8
b
F
p
6-32
UNC
y
w
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
7
8
9
2
3
W
e
e1
5
p
1
d
max.
y
M
B
y
M
B
B
99-02-06
y
M
B
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PDF描述
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