參數(shù)資料
型號： BFY51
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY51
1997 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BFY50
BFY51
BFY52
collector-emitter voltage
BFY50
BFY51
BFY52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
open emitter
80
60
40
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
35
30
20
6
1
1
100
800
5
2.86
+150
200
+150
V
V
V
V
A
A
mA
mW
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
25
°
C
<
T
case
< 100
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient in free air
thermal resistance from junction to case
220
35
K/W
K/W
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PDF描述
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