參數(shù)資料
型號(hào)： BFY51
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY51
1997 Apr 22
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 35 V).
APPLICATIONS
General purpose industrial applications.
DESCRIPTION
NPN medium power transistor in a TO-39 metal package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector, connected to case
Fig.1 Simplified outline (TO-39) and symbol.
handbook, halfpage
3
1
2
MAM317
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BFY50
BFY51
BFY52
collector-emitter voltage
BFY50
BFY51
BFY52
peak collector current
total power dissipation
open emitter
80
60
40
V
V
V
V
CEO
open base
35
30
20
1
800
2.86
V
V
V
A
mW
W
I
CM
P
tot
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
100
°
C
I
C
= 150 mA; V
CE
= 10 V
h
FE
DC current gain
BFY50
BFY51
BFY52
transition frequency
BFY50
BFY51; BFY52
30
40
60
112
123
142
f
T
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
60
50
MHz
MHz
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PDF描述
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