參數(shù)資料
型號(hào)： BFY50L
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY50L
1997 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BFY50
BFY51
BFY52
collector-emitter voltage
BFY50
BFY51
BFY52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
open emitter
80
60
40
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
35
30
20
6
1
1
100
800
5
2.86
+150
200
+150
V
V
V
V
A
A
mA
mW
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
25
°
C
<
T
case
< 100
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient in free air
thermal resistance from junction to case
220
35
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFY50 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY51 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY50 Small Signal Transistors
BFY51 Small Signal Transistors
BFY52 Small Signal Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFY51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFY51 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY52 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:NPN transistor,BFY52 1A Ic 10Vce
BFY52 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY53 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
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