參數(shù)資料
型號(hào)： BFY50
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY50
1997 Apr 22
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BFY50
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
200
200
700
1
mV
mV
mV
V
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BFY51; BFY52
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
7
200
350
1
1.6
1.2
1.3
1.5
2
12
mV
mV
V
V
V
V
V
V
pF
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
f
T
collector capacitance
transition frequency
BFY50
BFY51; BFY52
60
50
140
MHz
MHz
Switching times (between 10% and 90% levels)
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
turn-on time
delay time
rise time
turn-off time
storage time
fall time
I
Con
= 150 mA; I
Bon
= 15 mA;
I
Boff
=
15 mA
55
15
40
360
300
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFY51 NPN medium power transistors
BFY52 ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80%
BFY50L Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFY50 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY51 MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFY50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY50_02 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
BFY50L 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NPN
BFY51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFY51 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
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