參數(shù)資料
型號： BFY50
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY50
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Apr 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFY50; BFY51; BFY52
NPN medium power transistors
M3D111
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFY51 NPN medium power transistors
BFY52 ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80%
BFY50L Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFY50 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY51 MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFY50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY50_02 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
BFY50L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
BFY51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFY51 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
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