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參數(shù)資料
| 型號： | BFU725F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封裝： | BFU725F/N1<SOT343F (DFP4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | BFU725F |
BFU725F_N1
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
9 of 12
NXP Semiconductors
BFU725F/N1
NPN wideband silicon germanium RF transistor
9. Abbreviations
Table 8.
Acronym
CDMA
DBS
DC
DRO
LNA
LNB
Ka
NPN
RF
WLAN
10. Revision history
Table 9.
Document ID
BFU725F_N1 v.2
Modifications:
Abbreviations
Description
Code Division Multiple Access
Direct Broadcast Satellite
Direct Current
Dielectric Resonator Oscillator
Low Noise Amplifier
Low Noise Block
Kurtz above
Negative-Positive-Negative
Radio Frequency
Wireless Local Area Network
Revision history
Release date
20111103
Table 1 on page 1
: The maximum value for V
EBO
has been changed to 1.0 V.
Table 5 on page 3
: The maximum value for V
EBO
has been changed to 1.0 V.
20090713
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BFU725F_N1 v.1
BFU725F_N1 v.1
-
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU730F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU730F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU730F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU725F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU725F/N1 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F/N1,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU725F/N1,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU725 Series 2.8 V 18 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4 |
| BFU725F_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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