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參數(shù)資料
| 型號： | BFU630F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU630F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | BFU630F |
BFU630F
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 15 December 2010
5 of 12
NXP Semiconductors
BFU630F
NPN wideband silicon RF transistor
[1]
G
p(max)
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
p(max)
= MSG.
IP3
third-order intercept point
I
C
= 30 mA; V
CE
= 2.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
; T
amb
= 25
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
-
-
-
-
25.5
26
26.5
27.5
-
-
-
-
dBm
dBm
dBm
dBm
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min Typ
Max Unit
T
amb
= 25
C.
(1) I
B
= 200
A
(2) I
B
= 180
A
(3) I
B
= 160
A
(4) I
B
= 140
A
(5) I
B
= 120
A
(6) I
B
= 100
A
(7) I
B
= 80
A
(8) I
B
= 60
A
(9) I
B
= 40
A
(10) I
B
= 20
A
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
C.
Fig 3.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0
5
4
2
3
1
001aam813
10
15
5
20
25
I
C
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
I
C
(mA)
0
30
20
10
001aam814
100
50
150
200
h
FE
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU630F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU668F,115 | 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F RoHS:是 類別:未定義的類別 >> 其它 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* 其它名稱:MS305720A |
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