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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFU630F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類(lèi)： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU630F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | BFU630F |
1. Product profile
1.1 General description
NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin
dual-emitter SOT343F package.
1.2 Features and benefits
Low noise high gain microwave transistor
Noise figure (NF) = 0.85 dB at 2.4 GHz
High maximum stable gain 26 dB at 1.8 GHz
40 GHz f
T
silicon technology
1.3 Applications
Low noise amplifiers for microwave communications systems
WLAN and CDMA applications
Analog/digital cordless applications
Ku band oscillators DRO’s
LNB
RKE
AMR
GPS
ZigBee
LTE, cellular, UMTS
FM radio
Mobile TV
Bluetooth
BFU630F
NPN wideband silicon RF transistor
Rev. 1 — 15 December 2010
Product data sheet
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling
electrostatic sensitive devices.
Such precautions are described in the
ANSI/ESD S20.20
,
IEC/ST 61340-5
,
JESD625-A
or
equivalent standards.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU630F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU668F,115 | 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F RoHS:是 類(lèi)別:未定義的類(lèi)別 >> 其它 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* 其它名稱(chēng):MS305720A |
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