參數(shù)資料
型號： BFU540
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BFU540
2003 Jun 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
handbook, halfpage
hFE
0
50
0
50
100
150
200
10
20
30
40
IC (mA)
MLE152
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
1
2
3
VCE (V)
0
40
30
20
10
MLE153
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
Fig.4 Output characteristics; typical values.
(1) I
B
= 400
μ
A.
(2) I
B
= 350
μ
A.
(3) I
B
= 300
μ
A.
(4) I
B
= 250
μ
A.
(5) I
B
= 200
μ
A.
(6) I
B
= 150
μ
A.
(7) I
B
= 100
μ
A.
(8) I
B
= 50
μ
A.
handbook, halfpage
(GHz)
0
10
20
30
40
MLE154
1
10
IC (mA)
10
2
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CB
= 1 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
20
10
0
10
2
30
MLE155
10
3
10
4
f (MHz)
s21
MSG
Gmax
Fig.6
Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 40 mA; V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
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