參數資料
型號： BFU540
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數： 4/16頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BFU540
2003 Jun 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
G
max
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
max
= MSG.
Z
S
and Z
L
are optimized for gain.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
140
520
105
20
MAX.
15
210
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
re
G
max
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
maximum power gain; note 1
I
C
= 2.5
μ
A; I
E
= 0
I
C
= 1 mA; I
B
= 0
I
E
= 2.5
μ
A; I
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 4.5 V
I
C
= 40 mA; V
CE
= 2 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Γ
S
=
Γ
opt
I
C
= 20 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Z
S
= Z
S opt
; Z
L
= Z
L opt
; note 2
I
C
= 40 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Z
S
= Z
S opt
; Z
L
= Z
L opt
; note 2
9
2.3
2.5
70
V
V
V
nA
fF
fF
dB
NF
noise figure
0.9
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
11
dBm
ITO
21
dBm
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PDF描述
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