參數(shù)資料
型號(hào)： BFT93W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
英文描述： PNP 4 GHz wideband transistor
封裝： BFT93W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 9/22頁(yè)
文件大?。?/td> 1099K
代理商： BFT93W
March 1994
9
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 4 GHz wideband transistor
BFT93W
Fig.16 Common emitter noise figure circles, typical values.
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA; f = 500 MHz; Z
o
= 50
.
MLB438
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
180
o
45
o
90
o
135
o
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
1
2
5
opt
Fmin
Γ
F = 3 dB
F = 4 dB
F = 5 dB
0.2
0.5
Fig.17 Common emitter noise figure circles, typical values.
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA; f = 1 GHz; Z
o
= 50
.
MLB439
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
180
o
45
o
90
o
135
o
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
1
2
5
0.5
F = 3.5 dB
F = 4 dB
F = 5 dB
Fmin
opt
Γ
0.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFT93W PNP 4 GHz wideband transistor
BFT93 PNP 5 GHz wideband transistor
BFT93 PNP 5 GHz wideband transistor
BFU610F NPN wideband silicon RF transistor
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參數(shù)描述
BFT93W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP 12V 50mA 4GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT93WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
BFT95 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | MACRO-T
BFT96 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-50
BFT97 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | MACRO-T
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