參數(shù)資料
型號(hào): BFT93W
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
英文描述: PNP 4 GHz wideband transistor
封裝: BFT93W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁(yè)數(shù): 17/22頁(yè)
文件大?。?/td> 1099K
代理商: BFT93W
March 1994
17
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 4 GHz wideband transistor
BFT93W
Table 13
Common emitter scattering parameters: V
CE
=
10 V; I
C
=
20 mA.
Table 14
Noise data: V
CE
=
10 V; I
C
=
20 mA.
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
G
UM
(dB)
MAGNITUDE
(ratio)
0.655
0.568
0.487
0.463
0.456
0.453
0.453
0.451
0.451
0.452
0.454
0.467
0.482
0.490
0.493
0.505
0.528
0.550
0.563
0.562
0.565
ANGLE
(deg)
33.6
73.8
113.4
134.1
146.7
154.7
161.0
165.7
169.9
173.7
177.3
176.6
172.4
168.8
164.8
159.8
155.9
153.6
151.9
149.2
145.8
MAGNITUDE
(ratio)
25.207
19.459
12.634
9.050
6.997
5.702
4.818
4.171
3.683
3.297
2.986
2.521
2.200
1.956
1.774
1.630
1.509
1.405
1.312
1.253
1.199
ANGLE
(deg)
156.9
133.9
113.7
103.5
96.9
92.1
88.2
84.8
81.8
79.0
76.6
71.9
67.6
63.6
60.1
56.8
54.1
51.0
48.1
45.2
42.6
MAGNITUDE
(ratio)
0.018
0.035
0.050
0.061
0.072
0.082
0.093
0.104
0.115
0.126
0.137
0.157
0.176
0.195
0.212
0.230
0.245
0.260
0.273
0.287
0.305
ANGLE
(deg)
74.2
61.0
54.9
55.1
56.9
58.5
60.0
61.0
61.8
62.4
62.9
63.4
63.4
62.8
62.7
62.7
62.8
62.7
62.2
62.0
61.7
MAGNITUDE
(ratio)
0.840
0.644
0.416
0.299
0.236
0.200
0.179
0.165
0.155
0.143
0.132
0.110
0.103
0.110
0.114
0.109
0.103
0.115
0.141
0.160
0.169
ANGLE
(deg)
20.3
41.3
58.0
66.3
72.0
76.3
79.0
79.9
79.9
79.0
78.5
81.6
90.5
97.4
98.0
100.1
109.7
122.8
128.2
127.8
128.3
40
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
35.8
29.8
24.0
20.6
18.2
16.3
14.8
13.5
12.4
11.4
10.6
9.2
8.0
7.1
6.2
5.6
5.0
4.6
4.1
3.7
3.4
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(ratio)
0.240
0.320
(deg)
500
1000
3.00
3.60
98.0
131.0
0.440
0.400
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