參數資料
型號： BFT92
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP 5 GHz wideband transistor
封裝： BFT92<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數： 5/10頁
文件大小： 192K
代理商： BFT92
November 1992
5
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFT92
Fig.2 Intermodulation distortion test circuit.
L2 = L3 = 5
H Ferroxcube choke, catalogue
number 3122 108 20150.
L1 = 4 turns 0.35 mm copper wire;
winding pitch 1 mm; internal diameter 4 mm.
handbook, halfpage
MEA919
16
Ω
L2
680 pF
300
Ω
DUT
L1
680 pF
680 pF
24 V
3.9 k
Ω
820
Ω
75
Ω
75
Ω
390
Ω
L3
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
=
10 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
MEA347
0
75
25
0
10
20
–IC
FE
h
50
30
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(pF)
0
10
0
0.8
MEA920
0.6
0.4
0.2
–VCB(V)
20
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
=
10 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
20
30
0
2
4
MEA344
–IC
fT
(GHz)
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