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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFT46 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封裝： | BFT46<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | BFT46 |
December 1997
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon FET
BFT46
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8 mm
10 mm
0,7 mm.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (open source)
Gate-source voltage (open drain)
Drain current
Gate current
Total power dissipation up to T
amb
= 40
C
(1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
DGO
V
GSO
I
D
I
G
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
150
C
max.
25 V
25 V
25 V
10 mA
5 mA
250 mW
150
C
From junction to ambient
(1)
R
th j-a
=
430 K/W
Gate cut-off current
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0
Drain current
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
I
GSS
0,2 nA
I
DSS
0,2 mA
1,5 mA
Gate-source voltage
I
D
= 50
A; V
DS
= 10 V
V
GS
0,1 V
1,0 V
Gate-source cut-off voltage
I
D
= 0,5 nA; V
DS
= 10 V
y-parameters at f = 1 kHz;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
C
Transfer admittance
Output admittance
V
DS
= 10 V; I
D
= 200
A; T
amb
= 25
C
Transfer admittance
Output admittance
Input capacitance at f = 1 MHz;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
C
Feedback capacitance at f = 1 MHz;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
C
Equivalent noise voltage
V
DS
= 10 V; I
D
= 200
A; T
amb
= 25
C
B = 0,6 to 100 Hz
V
(P)GS
1,2 V
y
fs
y
os
1,0 mS
10
S
y
fs
y
os
0,5 mS
5
S
C
is
5 pF
C
rs
1,5 pF
V
n
0,5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor |
| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor |
| BFT92 | PNP 5 GHz wideband transistor |
| BFT92 | PNP 5 GHz wideband transistor |
| BFT93W | PNP 4 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFT46 T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BFT46,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BFT46 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR JFET N SOT-23 |
| BFT46/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR JFET SOT-23 |
| BFT46215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 25V 1.5MA 3-SOT-23 |
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