參數(shù)資料
型號(hào)： BFT46
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BFT46<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： BFT46
December 1997
2
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon FET
BFT46
DESCRIPTION
Symmetrical n-channel silicon
epitaxial planar junction field-effect
transistor in a microminiature plastic
envelope. The transistor is intended
for low level general purpose
amplifiers in thick and thin-film
circuits.
PINNING
Note :
Drain and source are
interchangeable.
1 = drain
2 = source
3 = gate
Marking code
BFT46 = M3p
Fig.1 Simplified outline and symbol, SOT23.
handbook, halfpage
1
2
g
d
s
3
Top view
MAM385
QUICK REFERENCE DATA
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Total power dissipation up to T
amb
= 40
C
Drain current
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
V
DS
V
GSO
P
tot
max.
max.
max.
25 V
25 V
250 mW
I
DSS
0,2 mA
1,5 mA
Transfer admittance (common source)
I
D
= 0,2 mA; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz
Equivalent noise voltage
V
DS
= 10 V; I
D
= 200
A; B = 0,6 to 100 Hz
y
fs
0,5 mS
V
n
0,5
V
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