參數(shù)資料
型號(hào)： BFR93AR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： BFR93AR
BFR93AR_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 November 2006
7 of 13
NXP Semiconductors
BFR93AR
NPN 6 GHz wideband transistor
V
CE
= 8 V.
V
CE
= 8 V.
Fig 12. Minimum noise figure as a function of collector
current; typical values
Fig 13. Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
V
CE
= 8 V; V
O
= 425 mV (52.6 dBmV);
f
p
+
f
q
f
r
= 793.25 MHz; T
amb
= 25
°
C.
Measured in MATV test circuit; see
Figure 1
.
V
CE
= 8 V; V
O
= 200 mV (46 dBmV);
f
p
+
f
q
f
r
= 810 MHz; T
amb
= 25
°
C.
Measured in MATV test circuit; see
Figure 1
.
Fig 14. Intermodulation distortion; typical values
Fig 15. Second order intermodulation distortion;
typical values
mcd094
4
2
1
0
10
1
3
NF
(dB)
I
C
(mA)
f = 2 GHz
500 MHz
1 GHz
10
2
mcd095
4
2
1
0
10
2
3
NF
(dB)
f (MHz)
5 mA
10 mA
10
4
10
3
I
C
= 30 mA
mbb263
(dB)
0
10
20
40
40
65
45
30
50
55
60
I
C
(mA)
IMD
mbb264
0
10
20
40
30
55
35
30
40
45
50
I
C
(mA)
IMD2
(dB)
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PDF描述
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BFR93AW NPN 5 GHz wideband transistor
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