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參數(shù)資料
| 型號： | BFR93AR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | BFR93AR |
1.
Product profile
1.1 General description
NPN wideband transistor in a plastic SOT23 package.
PNP complement: BFT93.
1.2 Features
I
Very high power gain
I
Low noise figure
I
Very low intermodulation distortion
1.3 Applications
I
RF wideband amplifiers and oscillators
1.4 Quick reference data
BFR93AR
NPN 6 GHz wideband transistor
Rev. 01 — 30 November 2006
Product data sheet
Table 1.
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
C
re
f
T
Quick reference data
Parameter
collector-base voltage
collector-emitter voltage open base
collector current
total power dissipation
feedback capacitance
transition frequency
Conditions
open emitter
Min
-
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
0.6
6
Max
15
12
35
300
-
-
Unit
V
V
mA
mW
pF
GHz
T
sp
≤
95
°
C
I
C
= 0 mA; V
CE
= 5 V; f = 1 MHz;
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V;
f = 500 MHz;
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C
f = 1 GHz
f = 2 GHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
Γ
S
=
Γ
opt
; T
amb
= 25
°
C
IMD =
60 dB; I
C
= 30 mA;
V
CE
= 8 V; R
L
= 75
;
T
amb
= 25
°
C;
f
p
+
f
q
f
r
= 793.25 MHz
G
UM
unilateral power gain
-
-
-
13
7
1.9
-
-
-
dB
dB
dB
NF
noise figure
V
O
output voltage
-
425
-
mV
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AR | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFR93AR T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFR93AR,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFR93AR-GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS GP BJT NPN 12V 0.05A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| BFR93AR-T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| BFR93AR-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
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