參數(shù)資料
型號： BFR92AW
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商： BFR92AW
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW
Fig.10 Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 10 V.
handbook, halfpage
4
2
0
MGC889
10
1
F
(dB)
IC
f = 2 GHz
500 MHz
1 GHz
10
2
Fig.11 Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values.
V
CE
= 10 V.
handbook, halfpage
4
2
0
10
2
MGC890
10
3
F
(dB)
f (MHz)
IC = 15 mA
5 mA
10 mA
10
4
Fig.12 Common emitter noise figure circles; typical values.
f = 500 MHz; V
CE
= 10 V; I
C
= 5 mA; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MGC891
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
45
o
90
o
135
o
1
0.5
1
2
5
2
5
180
o
2
0.5
0.5
0.2
0.2
0
0.2
1
5
F = 2 dB
opt
Γ
Fmin
F = 4 dB
F = 3 dB
Rev. 03 - 12 March 2008
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PDF描述
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFR92AW /T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R
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BFR92AW,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
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