參數(shù)資料
型號(hào)： BFR92AW
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR92AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
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代理商： BFR92AW
NXP Semiconductors
BFR92AW
NPN 5 GHz wideband transistor
NXP B.V. 2008.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 12 March 2008
Document identifier: BFR92AW_N_3
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Revision history
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Document ID
BFR92AW_N_3
Modifications:
BFR92AW_2
BFR92AW_1
Release date
20080312
Quick reference data and Characteristics Table; DC current gain value changed
19950918
Product specification
19921001
-
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BFR92AW_2
-
-
BFR92AW_1
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A NPN 5 GHz wideband transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR92AW /T3 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R
BFR92AW,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
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