參數(shù)資料
型號(hào)： BFR31
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C&
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
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代理商： BFR31
1997 Dec 05
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
0.2
UNIT
I
GSS
I
DSS
gate cut-off current
drain current
BFR30
BFR31
gate-source voltage
BFR30
BFR31
gate-source voltage
BFR30
BFR31
gate-source cut-off voltage
BFR30
BFR31
common-source transfer admittance
BFR30
BFR31
common-source transfer admittance
BFR30
BFR31
common source output admittance
BFR30
BFR31
common source output admittance
BFR30
BFR31
input capacitance
V
DS
= 0; V
GS
=
10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 10 V
nA
4
1
10
5
mA
mA
V
GS
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V
0.7
0
3
1.3
V
V
V
GS
I
D
= 50
A; V
DS
= 10 V
4
2
V
V
V
GSoff
I
D
= 0.5 nA; V
DS
= 10 V
5
2.5
V
V
y
fs
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz;
T
amb
= 25
C
1
1.5
4
4.5
mS
mS
y
fs
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz;
T
amb
= 25
C
0.5
0.75
mS
mS
y
os
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz
40
25
S
S
y
os
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz
20
15
S
S
C
is
V
DS
= 10 V; f = 1 MHz
I
D
= 1 mA
I
D
= 0.2 nA
V
DS
= 10 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25
C
I
D
= 1 mA
I
D
= 200
A
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V;
B = 0.6 to 100 Hz
4
4
pF
pF
C
rs
feedback capacitance
1.5
1.5
0.5
pF
pF
V
V
n
equivalent input noise voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR31 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR31,215 功能描述:JFET TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
BFR31,235 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BFR31LT1 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
BFR31LT1G 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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