參數(shù)資料
型號(hào)： BFR31
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel FET
封裝： BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C&
文件頁數(shù)： 3/13頁
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代理商： BFR31
1997 Dec 05
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8
10
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
25
25
25
10
5
250
+150
150
UNIT
V
DS
V
DGO
V
GSO
I
D
I
G
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain-gate voltage
gate-source voltage
drain current
forward gate current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
open source
open drain
T
amb
40
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
200
100
0
40
200
80
120
160
MDA245
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8
10
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
430
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
BFR31 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR31,215 功能描述:JFET TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
BFR31,235 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BFR31LT1 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
BFR31LT1G 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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