參數(shù)資料
型號： BFR106
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFR106/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;BFR106<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 200
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： BFR106
September 1995
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR106
Fig.2 Power derating curve.
1/2 page (Datasheet)
22 mm
0
50
100
200
200
0
MEA398 - 1
150
Ts
o
Ptot
(mW)
400
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 9 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
120
MBB774
80
IC
hFE
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 9 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
T
0
40
80
6
2
0
4
MBB773
120
IC
(GHz)
f
Fig.5
Maximum unilateral power gain as a
function of frequency.
I
C
= 30 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
GUM
(dB)
0
20
30
10
MEA399
10
2
10
3
10
4
10
f (MHz)
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PDF描述
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