參數(shù)資料
型號： BFQ67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFQ67<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 248K
代理商： BFQ67
1998 Aug 27
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67
Fig.6
Gain as a function of collector current,
typical values.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
IC (mA)
20
30
0
20
15
10
5
MRA611
MSG
GUM
Gmax
Fig.7
Gain as a function of frequency, typical
values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 5 mA.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA610
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
MSG
GUM
Gmax
Fig.8
Gain as a function of frequency, typical
values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 15 mA.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA608
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
Gmax
GUM
MSG
Fig.9
Gain as a function of frequency, typical
values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 30 mA.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA609
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
Gmax
GUM
MSG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFR106 NPN 5 GHz wideband transistor
BFR106 NPN 5 GHz wideband transistor
BFR30 N-channel FET
BFR31 N-channel FET
BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ67,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 50MA 10V 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFQ67 Series 10 V 300 mW 8 GHz Wideband NPN Transistor - SOT-23
BFQ67_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ
BFQ67F 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*