參數(shù)資料
型號(hào): BFQ296
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-128B
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 190V五(巴西)總裁|毫安一(c)|的SOT - 128B條
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大小: 52K
代理商: BFQ296
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ291 TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-172A1
BFQ292 TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32
BFR90A Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR92AT NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92L TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ29P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA.)
BFQ31 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:2SC3229
BFQ31A 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
BFQ31AR 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
BFQ31ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2